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制造半導(dǎo)體器件的方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):2781096

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本發(fā)明涉及生成掩膜數(shù)據(jù)、掩膜、記錄介質(zhì)的方法和,尤其涉及生成掩膜數(shù)據(jù)、掩膜、記錄介質(zhì)的方法和用于制造具有層間絕緣層的半導(dǎo)體器件的方法,其中,即使布線層之間間隙很小,該層間絕緣層亦可良好地填充于其間。背景技術(shù)在如大規(guī)模集成電路(LSI)的半導(dǎo)體器件中,伴隨著元件的小型化,高密度化及多層化,其布線層寬度變小,層間間隔變小。例如在0.13μm代設(shè)計(jì)規(guī)則中,金屬布線層的最小線寬為0.2μm,最小間隔為0.22μm。在這樣狹窄的空間布線層之間,如果用CVD法進(jìn)行氧化...
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