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通過沉積物與光阻產(chǎn)生交聯(lián)反應(yīng)以減少光阻粗糙度的方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:2783085

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本發(fā)明是有關(guān)于一種減少光阻粗糙度的方法,特別是有關(guān)于一種。光刻術(shù)(Photolithography)可說是整個半導體工藝中,最重要的步驟之一。凡是與MOS組件結(jié)構(gòu)相關(guān)的,如各層薄膜的圖案(Pattern)及摻雜(Doping)的區(qū)域,都由光刻術(shù)步驟來決定。而且在要求電路集成化越來越高的情況下,整個電路組件大小的設(shè)計也被迫不停往尺寸縮小的方向前進,是否能繼續(xù)的往更小的線寬進行,也決定于光刻術(shù)工藝技術(shù)的發(fā)展。一般光刻術(shù)工藝,包括光阻涂布(Coating)、軟烤...
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