技術(shù)編號(hào)：2791387
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及為諸如半導(dǎo)體集成電路石印術(shù)曝光源等應(yīng)用生成EUV(軟X射線)光的領(lǐng)域，尤其涉及用于這類器件的集光器。相關(guān)申請(qǐng)本申請(qǐng)是2003年4月8日提交的美國(guó)流水號(hào)為10/409，254的部分繼續(xù)申請(qǐng)，其內(nèi)容通過(guò)引用包括在這里。背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路制造的臨界尺寸越來(lái)越小那樣的應(yīng)用要求從生成遠(yuǎn)紫外(DUV) 光變?yōu)樯蓸O遠(yuǎn)紫外(EUV)光，也稱為軟X射線光。對(duì)于以有效的能級(jí)生成這類光的設(shè)備與方法，為在主要元件置換之間的可以接受的使用壽命內(nèi)能實(shí)現(xiàn)合適的EUV石印...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。