技術(shù)編號(hào):2795817
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的冗余圖形填充方法,尤其是一種降低光刻對(duì)準(zhǔn)失效率的冗余圖形填充方法。背景技術(shù)在現(xiàn)有的集成電路制造工藝中,為了提高化學(xué)機(jī)械研磨及刻蝕工藝的均一性,通常會(huì)在0. 25微米以下的工藝需要化學(xué)機(jī)械研磨或刻蝕的層中,加入冗余圖形。一種常用的冗余圖形式樣是矩形方塊的陣列,而這種圖形與某些光刻機(jī)的粗對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖形有很高的相似度。當(dāng)光刻機(jī)的預(yù)對(duì)準(zhǔn)精度較差時(shí),粗對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記附近的冗余圖形很容易被認(rèn)作是粗對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或干擾到粗對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的信號(hào),從而導(dǎo)致硅片光刻對(duì)準(zhǔn)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。