技術(shù)編號(hào)：2796811
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種新的光刻膠，其用來(lái)制造微電子器件，例如用于微電子機(jī) 械系統(tǒng)(MEMS)中的那些微電子器件。背景技術(shù)在硅蝕刻工藝中通常會(huì)在硅基片上使用薄的(100-至300-納米)氮化硅或二 氧化硅涂層作為用于形成圖案蝕刻的掩模，或者作為鈍化層，以封閉有源電路。 在現(xiàn)有技術(shù)中，人們主要通過(guò)使用嘗試法選擇用于MEMS制造工藝的蝕刻保護(hù) 涂層或掩模，這是因?yàn)樵谑袌?chǎng)上沒(méi)有通用保護(hù)涂層。經(jīng)常用蝕刻劑對(duì)各種材料 的蝕刻選擇性作為對(duì)MEMS工藝工程師的指導(dǎo)。由于氮化硅膜的...
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