技術(shù)編號(hào)：2803245
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及。背景技術(shù)在集成電路制造工藝中，通常通過激光束或電子束將設(shè)計(jì)好的電路轉(zhuǎn)移到掩模板上，再通過曝光的方式將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。但是，由于電子束易在光掩模基板表面與曝光腔體內(nèi)反復(fù)反射(霧化效應(yīng))，導(dǎo)致曝光區(qū)域圖形面積比重較大的區(qū)域的光阻比其他區(qū)域的光阻接受更多的電子。由此，在同樣的曝光能量下，顯影完后，正性光阻的掩模板曝光區(qū)域圖形面積比重較大的區(qū)域光阻的關(guān)鍵尺寸較其他區(qū)域的區(qū)域光阻的關(guān)鍵尺寸?。回?fù)性光阻的掩...
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