技術(shù)編號(hào)：2803509
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及芯片制造工藝，尤其涉及。背景技術(shù)在高速光電探測(cè)器件的設(shè)計(jì)中，為了提高探測(cè)器件的工作速率，需要盡量減小探測(cè)器的有源區(qū)，以便降低器件的結(jié)電容。因此，為了獲得高達(dá)IOGHz以上的帶寬，通常需要將有源區(qū)直徑縮小到30um以下，但小于30um的有源區(qū)要求更高的耦合精度，不利于實(shí)際生產(chǎn)。通常的做法是直接將微透鏡集成在芯片上，集成的微透鏡降低了耦合難度。目前，制作微透鏡的方法有下列幾種 O反應(yīng)離子束刻蝕。該方法是讓離子束以一定的角度刻蝕晶片表面，同時(shí)晶片處于...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。