技術(shù)編號：2813437
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及，屬于光學(xué)設(shè)計。背景技術(shù)在超大規(guī)模集成電路的制造工藝中，需要使用高精度投影物鏡將掩模上的圖形精確倍縮到覆蓋有光刻膠的硅片上。當(dāng)前深紫外光刻技術(shù)使用波長為193nm的激光光源，輔助以離軸照明、相移掩模、光學(xué)邊緣效應(yīng)校正等分辨率增強技術(shù)，可實現(xiàn)45nm技術(shù)節(jié)點的產(chǎn)業(yè)化要求，但是對于32nm或更高技術(shù)節(jié)點的產(chǎn)業(yè)化需求，半導(dǎo)體行業(yè)普遍寄希望于極紫外光刻技術(shù)。極紫外光源波長約為If 15nm， 與深紫外光刻技術(shù)相同，極紫外光刻也采用步進-掃描模式。極紫外光...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。