技術(shù)編號(hào)：2814749
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及光刻工藝中的光掩模。 背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的改進(jìn)，器件尺寸也向深亞微米發(fā)展，對(duì)器件質(zhì)量精度的要求也越來越嚴(yán)格。其中，對(duì)器件質(zhì)量精度的影響最大的就是光刻的 質(zhì)量。光刻，簡單來說就是將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上的過程。因而， 光掩沖莫的質(zhì)量也直接影響著光刻的質(zhì)量。目前主要的光掩模類型有二進(jìn)制強(qiáng)度光掩模和衰減式相位移光掩模。傳統(tǒng)的二進(jìn)制強(qiáng)度光掩模的制造方法舉例如下將光掩模的圖形數(shù)據(jù)輸入曝光 設(shè)備；提供一片鍍有不透光鉻金...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。