技術(shù)編號(hào)：2816039
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于制造微電子器件(例如用于微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)的微電子 器件)的新光刻膠?，F(xiàn)有技術(shù)說明硅蝕刻工藝中常在硅基材上使用薄(100-300納米)氮化硅或二氧化硅涂層 作為圖案化蝕刻的掩模或者作為鈍化層以密封活性電路。在現(xiàn)有技術(shù)中，已經(jīng) 主要通過使用試差法對(duì)用于MEMS制造過程的蝕刻保護(hù)涂層或掩模進(jìn)行了選 擇，原因是市場上沒有通用的保護(hù)涂層。MEMS工藝師常使用蝕刻劑對(duì)各種材 料的蝕刻選擇性作為指導(dǎo)。氮化硅膜的蝕刻速率比硅低得多，所以已經(jīng)使用氮 化硅...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。