技術(shù)編號：2818510
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作工藝，尤其涉及一種雙柵極氧化層制作工藝中光刻膠層的 重做工藝。背景技術(shù)在一般的邏輯或模擬器件的制作工藝中，雙柵極氧化層(Dual Gate，簡稱DG)制 作是一道比較重要的工藝，主要影響著器件的開啟電壓。所述的邏輯或模擬器件一般包括 高壓器件和低壓器件，由于高壓器件和低壓器件對開啟電壓的要求不同，因此，其對應(yīng)的柵 極氧化層厚度也不同，通常，高壓器件的柵極氧化層厚度大于低壓器件的柵極氧化層厚度。因此，所述器件的雙柵極氧化層制作工藝包括提供...
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