技術(shù)編號(hào):2848064
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及自襯底表面抬升的浮置拱頂結(jié)構(gòu)的形成方法、以及制造采用該浮置拱頂結(jié)構(gòu)的場(chǎng)致發(fā)射器件(FED)的方法。背景技術(shù) 制造場(chǎng)致發(fā)射器件包括一系列的半導(dǎo)體工藝,即形成陰極電極、形成柵極絕緣層、以及形成柵電極。此外,光刻和干法或濕法蝕刻在襯底上自柵電極至陰極電極的頂部得以進(jìn)行,以形成柵極孔,使得柵電極下方的陰極電極的頂部可通過(guò)柵極孔而露出。于是,諸如微尖端或碳納米管(CNT)的發(fā)射體形成在柵極孔底部,即形成在陰極電極的露出的頂表面上。圖1和2是將CNT用作電子...
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