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用于半導(dǎo)體裝置性能改善的涂層的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):2850770

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用于半導(dǎo)體裝置性能改善的涂層,等離子體處理腔室具有增強(qiáng)型涂層的氣體噴淋頭和延伸的下電極。所述延伸的下電極可由聚焦環(huán)、覆蓋環(huán)和等離子體約束環(huán)的一個(gè)或多個(gè)組成。延伸的下電極可利用一個(gè)一片式的復(fù)合覆蓋環(huán)制成。所述復(fù)合覆蓋環(huán)可由Al2O3制成并具有抗等離子體Y2O3涂層。所述等離子體約束環(huán)可以包括一流量均衡化離子屏蔽裝置,其也可具有抗等離子體涂層。所述延伸電極的抗等離子體涂層可具有配合氣體噴淋頭的成份。專(zhuān)利說(shuō)明用于半導(dǎo)體裝置性能改善的涂層[0001]本發(fā)明涉及等離...
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