技術(shù)編號(hào)：2894179
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于處理襯底的方法和系統(tǒng)，更具體的，涉及用于執(zhí)行襯底的中性束 激活的化學(xué)處理的方法和系統(tǒng)。背景技術(shù)在半導(dǎo)體處理過程中，經(jīng)常使用等離子體，通過沿著半導(dǎo)體襯底上形成的細(xì)線或 在半導(dǎo)體襯底上形成的過孔(或觸點(diǎn))內(nèi)促進(jìn)材料的非均勻去除，以輔助蝕刻過程。上述 等離子體輔助蝕刻的示例包括反應(yīng)離子蝕刻(RIE)，其實(shí)質(zhì)上是離子激活的化學(xué)蝕刻處理。但是，盡管RIE已經(jīng)使用了數(shù)十年，RIE的成熟伴隨著下列幾個(gè)問題(a)廣泛的離 子能量分布；(b)各種感應(yīng)充電副作用...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。