技術編號：2896001
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造領域，特別是涉及一種。 背景技術離子注入方法用來把通常稱之為雜質的原子或分子引入靶標基片，從而改變基片材料的性能。離子注入方法可用于對材料進行表面注入，以改變其物理和化學性能。尤其令人感興趣的是，用離子注入法在單晶或多晶硅中摻雜，是制造現(xiàn)代集成電路中的一種常規(guī)工藝過程。由于半導體產(chǎn)品的生產(chǎn)逐漸趨向較大的半導體晶圓(從8英寸到12英寸，而現(xiàn)在已向18英寸發(fā)展)，目前單晶圓工藝(一次處理一片晶圓)已被廣泛地采用。晶圓工件越大，注入所需的時間...
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