技術(shù)編號：2898347
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請是申請日為2008年01月03日、申請?zhí)枮?00880002182. 9、名稱為“延長 作為等離子室材料的氧化釔的壽命”的發(fā)明申請的分案。背景技術(shù)在半導(dǎo)體材料處理領(lǐng)域，存在各種不同的用于半導(dǎo)體處理應(yīng)用的設(shè)備，這 些應(yīng)用包括等離子體的使用，如等離子蝕刻、等離子增強化學(xué)氣相沉積和抗蝕劑剝除。這些 工藝所需要的設(shè)備包括用于等離子室內(nèi)并且需在那個環(huán)境中運行的部件。等離子室內(nèi)的環(huán) 境可能包括暴露于等離子、暴露于蝕刻劑氣體以及熱循環(huán)。由于在這樣的處理室中工藝氣 ...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。