技術(shù)編號：2899192
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于磁控管濺射電極的磁鐵組以及濺射裝置。 背景技術(shù)多年來，磁控管方式的濺射(下文稱之為濺射)裝置具有磁控管濺射電極，該磁控 管濺射電極包括靶，其設(shè)置在與準(zhǔn)備處理的基板相對的位置上；磁鐵組，以該靶與基板相 對的一側(cè)為上，其設(shè)置在靶的下側(cè)，在該靶上方形成隧道形的磁力線。當(dāng)通過給靶外加負(fù)直流電壓或交流電壓濺蝕靶時(shí)，通過用上述磁力線捕獲靶前方 電離的電子以及因?yàn)R射產(chǎn)生的次級電子可提高靶上方的電子密度，通過提高這些電子與導(dǎo) 入真空室內(nèi)的稀有氣體分子的碰撞率...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。