技術(shù)編號：2906611
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路、微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)、太陽能等薄膜及體材料表面工藝的微細(xì)加工，特別涉及一種。 背景技術(shù)產(chǎn)品集成度高、精細(xì)化、高效率、低成本一直是集成電路等微細(xì)加工制造業(yè)發(fā)展的直接動(dòng)力。自1970年以來，器件制造首先開始使用等離子體工藝，這使得等離子體工藝技術(shù)成為大規(guī)模集成電路(LSI)等工業(yè)領(lǐng)域微細(xì)加工的關(guān)鍵技術(shù)。目前，刻蝕、離子注入、清洗、沉積等等離子體工藝技術(shù)，廣泛地應(yīng)用在超大規(guī)模集成電路的制造工藝中。等離子體工藝技術(shù)，主要用于Si02、Si...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。