技術(shù)編號(hào)：2907287
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及雜質(zhì)導(dǎo)入層、結(jié)、其他被處理物，尤其涉及在用于半導(dǎo)體裝置或者太陽(yáng)能電池等的半導(dǎo)體基板上用于形成電子元件的結(jié)的形成方法、或者、用于液晶面板或者太陽(yáng)能電池等并且在基板表面形成了半導(dǎo)體薄膜的基板上用于形成電子元件的結(jié)形成方法中的用于進(jìn)行雜質(zhì)導(dǎo)入的等離子體摻雜方法以及裝置。背景技術(shù)例如，在半導(dǎo)體基板上形成元件區(qū)域時(shí)，使用許多pn結(jié)。此外，在基板表面隔著絕緣膜形成了硅薄膜的SOI (Silicon On hsulator，絕緣層上硅)基板廣泛應(yīng)用于DRAM等...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。