技術(shù)編號：2908420
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明 涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及。背景技術(shù)等離子子反應(yīng)室具有許多層疊型組件，層疊型組件需要將至少兩個(gè)部分按照各種方式層疊在一起。本發(fā)明就是為了尋求一種高效低耗，而又不影響層疊型組件機(jī)能的制造方法。發(fā)明內(nèi)容針對背景技術(shù)中的上述問題，本發(fā)明提出了。本發(fā)明第一方面提供了一種制造用于等離子體反應(yīng)室的層疊型組件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步驟提供一個(gè)具有至少一個(gè)接合面的第一部分；提供一個(gè)具有至少一個(gè)和所述第一部分的所述接合面配合的接合面的第二部分...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。