技術(shù)編號(hào):2926759
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本揭示內(nèi)容大體關(guān)于半導(dǎo)體設(shè)備,且更明確地說(shuō),關(guān)于離子束角度擴(kuò)散控制 的技術(shù)。背景技術(shù)離子注入是通過(guò)以受激離子直接轟擊基板而將化學(xué)物質(zhì)沉積至基板上的處 理。在半導(dǎo)體制造中,離子注入機(jī)主要用于改變目標(biāo)材料的傳導(dǎo)率的類型及電壓的摻雜處理。 一集成電路(ic)基板及其薄膜結(jié)構(gòu)中的精確摻雜分布通常對(duì)適當(dāng)IC效能至關(guān)重要。為了達(dá)成一所要摻雜分布,可以不同劑量及不同能階注入一或多種 離子物質(zhì)。離子物質(zhì)、劑量及能量的規(guī)格被稱作離子注入配方。圖1描繪一現(xiàn)有技術(shù)的離子注入機(jī)系...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。