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離子束角度擴(kuò)散控制的技術(shù)的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):2926759

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本揭示內(nèi)容大體關(guān)于半導(dǎo)體設(shè)備,且更明確地說(shuō),關(guān)于離子束角度擴(kuò)散控制 的技術(shù)。背景技術(shù)離子注入是通過(guò)以受激離子直接轟擊基板而將化學(xué)物質(zhì)沉積至基板上的處 理。在半導(dǎo)體制造中,離子注入機(jī)主要用于改變目標(biāo)材料的傳導(dǎo)率的類型及電壓的摻雜處理。 一集成電路(ic)基板及其薄膜結(jié)構(gòu)中的精確摻雜分布通常對(duì)適當(dāng)IC效能至關(guān)重要。為了達(dá)成一所要摻雜分布,可以不同劑量及不同能階注入一或多種 離子物質(zhì)。離子物質(zhì)、劑量及能量的規(guī)格被稱作離子注入配方。圖1描繪一現(xiàn)有技術(shù)的離子注入機(jī)系...
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