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用于利用遠(yuǎn)程等離子體源的大面積等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置的清洗器具的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):2926924

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本發(fā)明主要涉及半導(dǎo)體層的生產(chǎn),且特別地,本發(fā)明涉及薄膜晶體管(TFT)的生產(chǎn)。 背景技術(shù)一種非常普遍的生產(chǎn)這種薄膜晶體管的方式是通過(guò)利用等離子體 增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝。含硅的前驅(qū)氣體在等離子體的輔助 下被沉積在基底上。這種半導(dǎo)體可用于不同的電子器件中,尤其是用于 例如液晶顯示器中、用于太陽(yáng)能電池中或用于有機(jī)發(fā)光二極管(0LBD,s ) 顯示器中。例如,液晶顯示器的生產(chǎn)需要在沉積物的材料性質(zhì)方面具有 高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),所述材料性質(zhì)是就層的厚度和層的電...
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