技術(shù)編號(hào)：2927795
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電真空器件，具體涉及一種制作硅微通道板(Si-MCP) 二次電子發(fā)射層的方法。技術(shù)背景微通道板(MCP)是一種二維連續(xù)電子倍增的電真空器件，由許多 具有連續(xù)電子倍增能力的通道按一定的幾何圖案排列而成。當(dāng)在其輸 入、輸出兩端加上一定的電場(chǎng)時(shí)，就能對(duì)極其微弱的二維電子圖像進(jìn)行 倍增或放大。由于微通道板本身對(duì)大多數(shù)荷電粒子、部分高能粒子和短 波光(紫外線(xiàn)、X射線(xiàn)等)具有一定的量子探測(cè)效率，故可以直接用來(lái)探 測(cè)。從理論上講，微通道板可以對(duì)一切粒子和電磁輻...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。