技術(shù)編號：2934416
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明大體上涉及濺射(sputtering),并且更具體地涉及高功率脈沖 磁控賊射(HIPIMS)。背景技術(shù)濺射是物理過程，通過該過程固體靶材料中的原子由于高能離子對 材料的轟擊而被噴射(eject)進入氣相。濺射過程一般用于薄膜沉積。 用于濺射過程的高能離子通過在濺射設(shè)備中感應(yīng)的等離子體來供應(yīng)。實 踐中，使用各種技術(shù)來修改等離子體屬性(特別是離子密度)以獲得最 佳賊射條件。用來修改等離子體屬性的一些技術(shù)包括使用RF (射頻)交 流電、AC電源、DC電源、...
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