技術(shù)編號(hào)：2944150
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)案涉及用于處理襯底的技術(shù)，更明確地說，涉及用于使用等離子體處理襯底的技術(shù)。背景技術(shù)等離子體處理(Plasma processing)廣泛用于半導(dǎo)體和其它行業(yè)中已有數(shù)十年。等離子體處理用于例如清潔、蝕刻、研磨和沉積等任務(wù)。最近，已將等離子體處理用于摻雜。已使用等離子體輔助型摻雜(Plasma assisted doping, P LAD)或有時(shí)稱為等離子體浸沒離子植入(plasma immersion ion implantation, PIII)來滿...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。