技術(shù)編號：2946637
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種等離子體處理裝置。背景技術(shù)在下述專利文獻I中記載有一種等離子體處理裝置。專利文獻I所記載的等離子體處理裝置具有處理容器、第I電極、第2電極、高頻供電部、處理氣體供給部、主電介體、聚焦環(huán)以及周邊感應(yīng)體。在第I電極的主表面上安裝有聚焦環(huán)以及包括主電介體的靜電吸盤。聚焦環(huán)以覆蓋第I電極的主表面中的位于比配置有靜電吸盤的區(qū)域靠外側(cè)的位置的周邊部的方式安裝在第I電極上。為了確保等離子體的密度的面內(nèi)均勻性，第I電極具有比被處理基體大一圈的外徑。聚焦環(huán)以覆...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。