技術(shù)編號：2967413
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實用新型涉及一種靶室充氮裝置，特別地涉及離子注入機，屬于半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域。背景技術(shù)在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的晶片注入過程中，晶片的表面及體內(nèi)均會增加一些其他粒子，這些粒子的污染能使器件閥電壓降低、速度下降、成品率下降，而嚴(yán)重污染的晶片甚至無法制成器件，在粒子污染當(dāng)中，表層粒子的產(chǎn)生是由于低能離子、低速中性原子對晶片的碰撞及粘附，體內(nèi)微粒的產(chǎn)生原因是高能離子和高速中性原子對晶片的摻雜。在半導(dǎo)體制造工藝中，每一批晶片注入后，靶室片庫的充氮系統(tǒng)就會往片庫中送入氮氣，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。