技術(shù)編號(hào):3244685
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造中的磁控濺射裝置。 背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造工藝中,磁控濺射是一項(xiàng)非常重要的工藝。 濺射工藝是在兩電極間加一高電壓,兩極之間為某種惰性氣體,惰性 氣體在高電壓作用下激發(fā)產(chǎn)生等離子體。氣體離子加速向陰極運(yùn)動(dòng),它們 轟擊陰極表面,釋放出二次電子。這些電子在從陰極向陽(yáng)極運(yùn)動(dòng)的過(guò)程中, 會(huì)與惰性氣體的中性原子碰撞。如果碰撞傳遞的能量足夠高,氣體原子將 被離化,產(chǎn)生的離子將加速移向陰極,離子束對(duì)陰極的轟擊即為濺射工藝。 磁控濺射工藝是在等離子體內(nèi)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。