技術(shù)編號:3245703
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及形成無定形碳層的方法和形成低k值介電層的方法,并 且更具體地,涉及使用十字型烴類化合物作為前體形成無定形碳層的方 法和形成低k值介電層的方法。相關(guān)技術(shù)的討論通常,使用含有烴類化合物的氣體混合物和諸如Ar和He的惰性氣 體,通過等離子體或熱活化作用沉積無定形碳層。沉積的無定形碳層被 應(yīng)用于仿生材料、有機發(fā)光二極管(OLED)、半導(dǎo)體集成電路、硬掩模等 各種領(lǐng)域。根據(jù)美國專利公開第US2006-0084280號(2006年4月20日)或美國 專利第7...
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