技術編號：3245998
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種銅鐵礦結(jié)構(gòu)P型透明導電氧化物(Transparent Conducting Oxide, TC0)薄膜的制備，尤其是CuCr,-J力2 (0《x《0. 25， M為金屬陽離子Mg、 Ca、 Ni等)薄膜的脈沖激光沉積法(Pulsed Laser D印osition， PLD)制備方法。背景技術從平板顯示器的透明電極到低輻射的建筑玻璃涂層，透明導電氧化物薄膜的應 用非常廣泛。目前研究較多的TCO材料包括ZnO， ln,，Sn幾(ITO) ， S...
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