技術(shù)編號(hào):3249092
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明整體涉及薄膜物質(zhì)的沉積,更具體地講,涉及利用允許跨 基材橫向氣體流動(dòng)的分配歧管在基材上沉積原子層的裝置。背景技術(shù)在薄膜沉積廣泛使用的技術(shù)中,化學(xué)氣相沉積(CVD)用化學(xué)反應(yīng) 性分子在反應(yīng)室中反應(yīng),以在基材上沉積所需薄膜。用于CVD應(yīng)用 的分子前體包括待沉積薄膜的單質(zhì)(原子)成分, 一般也包括其他成分。 為了在基材上反應(yīng)形成薄膜,CVD前體為在氣相輸送到室的揮發(fā)性分 子。化學(xué)反應(yīng)沉積所需薄膜厚度的薄膜。大多數(shù)CVD技術(shù)一般需要將精確控制的一種或多種分子...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。