技術編號:3251540
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及基板處理方法、基板處理程序及存儲介質,特別涉及向對表面實施處理的基板的背面供給氦氣的基板處理方法。背景技術 在現(xiàn)有技術中,在等離子體處理裝置的處理室(下面稱作腔室)內,將基板裝載在具有冷卻機構的裝載臺上,對該基板實施等離子體處理。在對基板實施等離子體處理的過程中,向裝載臺與基板的背面之間供給傳熱氣體,例如氦氣(He),通過該氦氣在裝載臺傳遞基板的熱量,來控制基板的溫度(例如,參照專利文獻1)。氦氣從設置在裝載臺下方的傳熱氣體供給裝置(背壓力單元)...
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