技術(shù)編號:3252127
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制程設(shè)備,特別是涉及用于物理氣相淀積原理(physical vapor deposition, PVD)關(guān)于形成阻障層和金屬種子層的設(shè)備 (Barrier & Seed Tool)的能夠防止短路的射頻線圈。背景技術(shù)淀積金屬鉭(Encore Ta)的制程,目前在200mm晶片制造技術(shù)中主 要由來自應(yīng)用材料公司的Endum機器來實現(xiàn)。機器本身由多種高真空度 的功能反應(yīng)室組成,其中包括阻擋層濺鍍室和種子層濺鍍室,阻擋層能夠 提供一定的晶片...
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