技術(shù)編號(hào):3252518
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及對(duì)于襯底的電化學(xué)機(jī)械拋光處理。背景技術(shù) 通常通過在硅片上依次沉積導(dǎo)電層、半導(dǎo)電層或絕緣層在襯底上形成集成電路。一個(gè)制作步驟包括在非平面表面沉積填料層并拋光該填料層。對(duì)于某些應(yīng)用,平坦化所述填料層直到露出圖案層的上表面。例如,可在圖案化絕緣層上沉積導(dǎo)電填料層以填充絕緣層中的溝道或孔。平坦化以后,保留在絕緣層凸起的圖案之間的導(dǎo)電層部分形成提供襯底上薄膜電路之間的導(dǎo)電通路的通孔、接點(diǎn)和導(dǎo)線。對(duì)于其它應(yīng)用,諸如氧化拋光,對(duì)填料層進(jìn)行平坦化處理直到在非平面...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。