技術(shù)編號(hào):3252523
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例一般地涉及用于沉積基于硅的材料的方法。更具體地,本發(fā)明涉及用于制備氮化硅疊層的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。背景技術(shù) 用于制作集成電路上的器件的制造技術(shù)在不斷發(fā)展,以促進(jìn)形成在集成電路上的器件的不斷縮小和其在襯底上的更加密集的布置。例如,為了防止漏電流,傳統(tǒng)上,通過(guò)硅的局部氧化(LOCOS)場(chǎng)氧化物工藝將形成在襯底上的每一個(gè)晶體管與相鄰的晶體管隔離。現(xiàn)在可以利用淺溝槽隔離(STI)工藝執(zhí)行相同的功能,以將每一個(gè)晶體管與其相鄰的晶體管隔離。淺溝槽隔離占用襯...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。