技術(shù)編號:3255401
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種MoSi2(二硅化鉬)基復(fù)合材料的制備方法,特別涉及一種添加多種元素綜合提高MoSi2基復(fù)合材料硬度和斷裂韌性的制備方法。背景技術(shù) 目前,由于MoSi2的金屬間化物其特有的C11b型晶體結(jié)構(gòu),導(dǎo)致了室溫斷裂韌性低的固有缺陷?,F(xiàn)有的方法是在MoSi2基體中加入單一的韌性元素如Nb等或引入高熔點、高彈性模量第二相顆粒或纖維如SiC、ZrO2、C、TiC、Al2O3、WSi2、Mo5Si3等,以達到提高韌性的目的,但上述方法對MoSi2室溫斷裂韌性...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。