技術(shù)編號:3256699
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路的制造領(lǐng)域,尤其涉及一種MIM型電容中絕緣體二氧化硅薄膜的制備方法。背景技術(shù)次大氣壓化學(xué)氣相沉積(SubAtmosphere Chemical Vapor Deposition,簡稱 SACVD)是一種應(yīng)用比較廣泛的化學(xué)氣相沉積技術(shù),該技術(shù)利用臭氧以及四乙基硅甲烷 (TEOS)做為反應(yīng)起始氣體,在溫度為300-500°C之間進行熱化學(xué)反應(yīng),由于其反應(yīng)壓力一般在50_600torr,略低于大氣壓,因此稱之為次大氣壓化學(xué)氣相沉積。由于S...
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