技術(shù)編號：3258462
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體晶片等被處理體上形成薄膜的成膜方法和成膜裝置。本申請以2011年6月16日向日本專利局提出的日本專利申請?zhí)柕?011-134623號和2012年4月6日提出的日本專利申請?zhí)柕?012-087434號為基礎(chǔ)要求優(yōu)先權(quán)的利益，其全部公開內(nèi)容作為參照包含在本說明書中。背景技術(shù)通常，為了制造半導(dǎo)體集成電路，對由硅基板等構(gòu)成的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行成膜處理、蝕刻處理、氧化處理、擴(kuò)散處理、改質(zhì)處理、自然氧化膜的除去處理等各種處理。這些處理可在一次處理I枚晶片...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。