技術(shù)編號(hào):3260261
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體制造工序中用于形成氧化硅層的旋涂玻璃(SOG)組合物,涉及由此制造的半導(dǎo)體器件,以及涉及使用該旋涂玻璃(SOG)組合物形成氧化硅層的方法。更具體地說,本發(fā)明涉及包括聚硅氮烷的旋涂玻璃組合物及其在半導(dǎo)體器件中形成氧化硅層的使用。背景技術(shù) 半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)近來取得快速的進(jìn)展。特別,這些進(jìn)展要求半導(dǎo)體器件具有高工作速度的功能和具有大的存儲(chǔ)電容量。為了滿足這種要求,增加了密度、可靠性和響應(yīng)時(shí)間的半導(dǎo)體器件正在研制中。一般通過在單個(gè)襯底上形成大量的...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。