技術(shù)編號:3261463
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及化學氣相化學淀積(CVD)或有機金屬化學氣相淀積(MOCVD)裝置的改進。背景技術(shù)有機金屬化學氣相淀積方法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,簡稱MOCVD)是上世紀70年代后期發(fā)展起來的一種先進的氣相外延技術(shù),廣泛用于多種薄膜材料的制備。尤其在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,它和分子束外延(MBE)并列成為在化合物半導(dǎo)體薄膜的制備中占統(tǒng)治地位的手段?,F(xiàn)有的有機金屬化學氣相淀積裝置(MOCVD)由提供反應(yīng)氣體和有機金...
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