技術(shù)編號(hào)：3261493
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于自旋半導(dǎo)體材料，具體涉及一種組分可控的ZrOx薄膜的制備方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)在上世 紀(jì)科學(xué)技術(shù)突破性發(fā)展中起關(guān)鍵作用，它促進(jìn)了材料科學(xué)與現(xiàn)代技術(shù)的飛速發(fā)展，在許多引起了革命性的變革和突破，極大地推動(dòng)了科技乃至社會(huì)的進(jìn)步。然而，目前大規(guī)模集成電路的尺寸越來越小，傳統(tǒng)的微電子工藝已經(jīng)不能滿足現(xiàn)有的對(duì)設(shè)備集成化不斷增長的要求，更不能適應(yīng)現(xiàn)代信息技術(shù)超高速、超高頻和超大容量的發(fā)展趨勢。鑒于此，人們開始關(guān)注同時(shí)具備磁性及半導(dǎo)體特性的材料一稀磁性半...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。