技術編號：3263052
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種改善半導體工藝的方法及裝置，特別是涉及一種改善原子層沉積工藝的方法及裝置。背景技術 由于近年來半導體工業(yè)快速發(fā)展，以致各項工藝技術與應用材料皆大幅開發(fā)，以持續(xù)提升集成電路中元件的積集度及操作的效能。隨著元件尺寸日趨微小化，其接觸窗(contact)及介層窗(via)的縱橫比(aspect ratio)亦大幅提高，因而增加了沉積工藝操作的困難度。是以如何形成一順形(conformal)金屬層于高縱橫比的接觸窗及介層窗，已成為次微米工藝發(fā)展中重要...
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