技術編號：3263732
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及AlN薄膜，特指。背景技術氮化鋁(AlN)材料具有電子漂移飽和速率高、熱導率高、介質擊穿強度高等優(yōu)異特性，使其在高頻、高溫、高壓電子器件領域有著巨大的應用潛力，可用于制備高頻表面波器件，特別適合于制作聲波傳感器、G赫茲頻 帶SAW器件和BAW器件。近幾年，高取向度AlN薄膜生長技術的研究受到了人們的高度重視，并且已經取得了較滿意的成果，但是這些方法絕大多數(shù)都是在高溫下進行的，目前亟待解決的難題是如何在較低的襯底溫度下制備高取向度薄膜。與一般的Al...
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