技術(shù)編號(hào)：3282319
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種矩形平面多弧靶及真空鍍膜裝置。背景技術(shù)如今，真空鍍膜在機(jī)械、電子、能源、信息等領(lǐng)域已經(jīng)得到了廣泛應(yīng)用。而在真空鍍膜中，生產(chǎn)效率非常受人關(guān)注。磁控濺射的方法在沉積速率上要比非磁控濺射的方法高的多，所以越來越受到青睞。在磁控濺射鍍膜中，矩形平面多弧靶是極為重要的組件?，F(xiàn)有的矩形平面多弧靶，具備了沉積速率大的優(yōu)點(diǎn)，能夠帶來較高的生產(chǎn)效率，但由于用于控制離子濺射的磁場由定磁的永磁體產(chǎn)生，所以當(dāng)需要調(diào)節(jié)磁場對于靶材離子的約束效果時(shí)非常不便，制約了生...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。