技術(shù)編號：3285444
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種制備單層六角氮化硼薄膜的方法，屬于薄膜材料制備領(lǐng)域。其主要原理為在真空環(huán)境中或保護氣體環(huán)境中，在基底(1)上蒸鍍金屬薄膜(2)。加熱基底和金屬薄膜至700至1200K。通入含有氮和硼的氣體(3)。利用金屬氣體(3)的催化作用在金屬表面形成單層氮化硼薄膜(4)。之后將整個樣品冷卻到室溫。利用腐蝕性溶液腐蝕金屬，實現(xiàn)單層氮化硼薄膜(4)和基底(1)的分離。通過此方法可以廉價快速清潔地制備單層氮化硼薄膜材料。專利說明[0001] 本發(fā)明涉及了一種...
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