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技術(shù)編號(hào)：3287291

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本發(fā)明屬于半導(dǎo)體功能薄膜材料，尤其涉及一種高鎂含量六方相MgaiO 薄膜及其制備方法。背景技術(shù)ZnO薄膜是一種直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體材料，常溫下的禁帶寬度為3. 37eV，其激 子束縛能高達(dá)60meV，具有優(yōu)異的光電、壓電及介電特性，無毒性，原料易得且廉價(jià)，被認(rèn)為 是最有潛力的紫外、藍(lán)光的激光器發(fā)光材料。MgZnO薄膜為新型寬帶隙三元化合物半導(dǎo)體材料。由于&ι2+(離子半徑0. 060nm) 和Mg2+(離子半徑0. 057nm)離子半徑接近，Mg2...
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