技術(shù)編號:3288627
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供防止作為光吸收層的Cu(In1-XGaX)Se2的被膜的剝離的。具體而言,在選自N2氣、H2氣、Ar氣、AX氣及HN氣中的一種的氣氛中或兩種以上混合而成的氣氛中且在250~1050℃的范圍內(nèi),對含有7~40質(zhì)量%的Cr、0~100℃下的線膨脹系數(shù)為12.0×10-6/℃以下、厚度為20~200μm的不銹鋼箔實施用于除去應(yīng)力的預(yù)熱處理,進而,在實施了該預(yù)熱處理的不銹鋼箔的表面形成由Mo層構(gòu)成的背面電極后,或者在不銹鋼箔的表面形成絕緣被膜、進而在其上...
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