技術(shù)編號：3289170
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了，屬于硅薄膜的制備。該方法通過在化學(xué)氣相沉積過程中使用熱絲(HWCVD)等離子體(PECVD)，和偏壓結(jié)合分解反應(yīng)氣體沉積硅薄膜（簡稱結(jié)合方法(P-HWCVD)），通過對極板間距，射頻功率，偏壓，硅烷和氫氣濃度等參數(shù)的調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)對硅薄膜微結(jié)構(gòu)、硅薄膜制備過程以及沉積速率的調(diào)控。同時，使用結(jié)合方法可以實(shí)現(xiàn)比單獨(dú)使用上述單一一種氣體分解方式有更高的氣體利用率，比單一使用熱絲法在超高速率制備的材料具有更好的質(zhì)量。在結(jié)合方法中制備出的硅薄膜材料與單一使用...
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