技術(shù)編號：3308196
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本文中的實施方式涉及等離子體增強化學(xué)氣相沉積方法以及在襯底上沉積氮化硅的設(shè)備。所公開的方法提供氮化硅膜，其具有適合用于特定應(yīng)用（如垂直存儲器件）的濕法蝕刻率（例如在稀氫氟酸或熱磷酸中）。另外，所述方法提供的氮化硅膜具有適合用于目標(biāo)應(yīng)用的特定內(nèi)應(yīng)力水平。所述氮化硅膜特性可通過控制例如前體的組成和流率以及供應(yīng)到等離子體的低頻功率和反應(yīng)室中的壓強來設(shè)定或調(diào)整。在某些實施方式中，添加含硼前體。專利說明用于半導(dǎo)體器件應(yīng)用的氮化硅膜 相關(guān)專利申請的交叉引用[0001]...
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