技術(shù)編號：3309508
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于集成電路(IC)制造工藝，具體涉及。事實上，人們早已認識到當器件幾何尺寸減小到小于0.18μm~0.13μm時，器件中很多關(guān)鍵薄膜層遇到了各種材料兼容性和可靠性等局限性問題，不得不用新的材料取代它們。例如傳統(tǒng)上，金屬鋁最流行應(yīng)用于多層金屬互連材料，作為超大規(guī)模(VLSI)集成電路金屬間介質(zhì)的化學汽相淀積(CVD)二氧化硅已經(jīng)出現(xiàn)互相不兼容問題。由于電路密度不斷增加，金屬鋁和二氧化硅(Al-SiO2)組合體系不能滿足下列挑戰(zhàn)高電導(dǎo)率和小電阻電容時間...
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